国产封测企业在HBM（高带宽内存）领域实现良率追平国际巨头的背后，核心创新密码在于晶圆级先进封装技术的突破、全链条自主化协同以及精准切入AI端侧设备需求▼，这一技术反超不仅打破了海外垄断，更重构了全球存储产业链的竞争格局。
国产企业通过晶圆级扇出工艺、TSV（硅通孔）和混合键合等核心技术，显著提升HBM集成密度与性能：
厚度与效率优化●▲：佰维存储的垂直引线键合及晶圆级扇出工艺，将芯片厚度减少30%以上，数据传输效率大幅提升□-◇，解决了AI端侧设备小型化和低功耗的痛点•；
混合键合突破•：华为的混合键合专利（Hybrid Bonding）实现高性能☆●、高密度封装连接-，为HBM堆叠提供关键技术支撑；
TSV设备国产化：中微公司推出TSV深孔刻蚀设备，关键指标达国际水平，打通HBM堆叠的“血管”瓶颈•▪◁。
中科飞测的晶圆平坦度测量设备（GINKGOIFM-P300）解决了超高翘曲晶圆、低反射率晶圆的量测难题，突破国外垄断，直接提升制造良率。
- 全栈能力整合：佰维存储覆盖▽◇“存储介质分析→主控设计→固件算法→封测”全链条●●，为Meta等客户定制=•“硬件+算法+封装”方案，显著降低AI眼镜功耗•；
- 封测良率对标国际□▪：2025年国产CoWoS-S封装良率达90%，追平国际最先进水平；CoWoS-L良率突破60%，为双die大芯片量产奠定基础☆=；
- 产能快速扩张：通富微电南通工厂将HBM封测产能目标提升至10万片/月，绑定AMD、英伟达供应链。
AI眼镜、智能手表等端侧硬件对存储提出“小体积、低功耗、高带宽”的苛刻要求▽◆-，国产封测企业凭借先进封装技术率先卡位。佰维存储的ePOP产品已供货Meta●•、Google等巨头，2025年AI眼镜收入预计同比暴增500%；
华为、寒武纪等国产算力芯片迭代加速，拉动先进封装需求：寒武纪国产版690芯片2025年量产，海光信息订单环比增长50%。
设备突破■：中科飞测量测设备出货HBM客户，北方华创TSV刻蚀机市占率超50%；
材料自主：华海诚科实现HBM封装核心材料GMC量产，适配12层堆叠HBM3E=◇；雅克科技供应海力士HBM介电层前驱体◇。
尽管国产HBM良率追平国际巨头▪■□，上游晶圆制造环节仍存短板：中芯国际7nm良率仅约20%（受限于设备与工艺），短期内依赖封装环节弥补性能差距。
结语：国产封测企业的技术反超本质是“以封装创新绕过制程瓶颈□”的产业智慧◆△■。随着AI硬件需求爆发、政策与资本持续加码，国产HBM产业链正从◆“单点突破”走向“系统领先”，重塑全球存储竞争规则▽•。 (以上内容均由AI生成)
